|
تضامنًا مع حق الشعب الفلسطيني |
المعلومات عن «Insulated-gate bipolar transistor»
اذهب إلى التنقل
اذهب إلى البحث
المعلومات الأساسية
| عرض العنوان | Insulated-gate bipolar transistor |
| تحويلة إلى | ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة (معلومات) |
| مفتاح الترتيب الافتراضي | Insulated-gate bipolar transistor |
| حجم الصفحة (بالبايت) | 134 |
| معرف النطاق | 0 |
| معرف الصفحة (ID) | 1879962 |
| لغة محتوى الصفحة | ar - العربية |
| نموذج محتوى الصفحة | نص ويكي |
| فهرسة الروبوتات | مسموح بها |
| عدد التحويلات إلى هذه الصفحة | 0 |
| معرف عنصر أرابيكا | لا شيء |
حماية الصفحة
| تعديل | السماح لكل المستخدمين (لا نهائي) |
| النقل | السماح لكل المستخدمين (لا نهائي) |
التعديلات
| منشئ الصفحة | عبد العزيز (نقاش | مساهمات) |
| تاريخ إنشاء الصفحة | 03:12، 3 نوفمبر 2019 |
| أحدث محرر | عبد العزيز (نقاش | مساهمات) |
| تاريخ آخر تعديل | 03:12، 3 نوفمبر 2019 |
| عدد التعديلات | 1 |
| عدد المؤلفين المختلفين | 1 |
| عدد التعديلات الأخيرة (في 90 يوما) | 0 |
| عدد المؤلفين المختلفين الأخيرين | 0 |