|
تضامنًا مع حق الشعب الفلسطيني |
ملف:Silicon Crystal structure.svg
اذهب إلى التنقل
اذهب إلى البحث
حجم معاينة PNG لذلك الملف ذي الامتداد SVG: 326 × 288 بكسل. الأبعاد الأخرى: 272 × 240 بكسل | 543 × 480 بكسل | 869 × 768 بكسل | 1٬159 × 1٬024 بكسل | 2٬318 × 2٬048 بكسل.
الملف الأصلي (ملف SVG، أبعاده 326 × 288 بكسل، حجم الملف: 9 كيلوبايت)
 | هذا ملف من ويكيميديا كومنز. معلومات من صفحة وصفه مبينة في الأسفل. كومنز مستودع ملفات ميديا ذو رخصة حرة. |
ملخص
| الوصف |
العربية: بنية بلورة السيليكون.
English: The structure of a silicon crystal. |
|||||||||||||||||
| التاريخ | ||||||||||||||||||
| المصدر | Robert Boylestad, Louis Nashelsky (1998).Electronic Devices and Circuit Theory (PDF) (7th Edition). Prentice Hall. P.4. ISBN 013769282X. | |||||||||||||||||
| المؤلف |
|
|||||||||||||||||
ترخيص
أنا، صاحب حقوق التأليف والنشر لهذا العمل، أنشر هذا العمل تحت الرخصة التالية:
هذا الملفُّ مُرخَّصٌ برخصة المشاع الإبداعي الدَّوليَّة المُلزِمة بنسب العمل إلى مُؤَلِّفه وبترخيص المُشتقَّات بالمثل 4.0.
- يحقُّ لك:
- مشاركة العمل – نسخ العمل وتوزيعه وبثُّه
- إعادة إنتاج العمل – تعديل العمل
- حسب الشروط التالية:
- نسب العمل إلى مُؤَلِّفه – يلزم نسب العمل إلى مُؤَلِّفه بشكل مناسب وتوفير رابط للرخصة وتحديد ما إذا أجريت تغييرات. بالإمكان القيام بذلك بأية طريقة معقولة، ولكن ليس بأية طريقة تشير إلى أن المرخِّص يوافقك على الاستعمال.
- الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل – إذا أعدت إنتاج المواد أو غيرت فيها، فيلزم أن تنشر مساهماتك المُشتقَّة عن الأصل تحت ترخيص الأصل نفسه أو تحت ترخيص مُتوافِقٍ معه.
تاريخ الملف
اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.
| زمن/تاريخ | صورة مصغرة | الأبعاد | مستخدم | تعليق | |
|---|---|---|---|---|---|
| حالي | 00:29، 7 ديسمبر 2018 | | 326 × 288 (9 كيلوبايت) | commonswiki>Michel Bakni | Add transparency |
استخدام الملف
ال1 ملف التالي مكررات لهذا الملف (المزيد من التفاصيل):
- ملف:Silicon Crystal structure.svg من ويكيميديا كومنز
الصفحة التالية تستخدم هذا الملف:
